以下是一些常见的MOS管及其可替换型号：
微硕N沟道MOS管
WST3400：N沟道MOS管，漏源电压（VDS）为30V，漏极电流（ID）为7A，导通电阻（RDS(on)）为28mΩ@4.5V，封装为SOT-23。可替换型号包括AO3400A、FQP30N06L等，这些型号的VDS和ID参数相近，RDS(on)也在类似范围。
WSD75100DN56：N沟道MOS管，漏源电压为75V，漏极电流为100A，导通电阻为6.4mΩ@10V，封装为DFN8_4.9X5.75MM。可替换型号有STP100N06、FDP100N06等，这些型号具有类似的VDS和ID参数，RDS(on)也在相近水平。
WSD3020DN：双N沟道MOS管，漏源电压为30V，漏极电流为21A，导通电阻为19mΩ@10V，封装为DFN8_3X3MM。可替换型号包括STP20N06、FDP20N06等，这些型号的VDS和ID参数相近，RDS(on)也类似。
微硕P沟道MOS管
WSF70P03：P沟道MOS管，漏源电压为30V，漏极电流为57A，导通电阻为9.5mΩ@10V，封装为TO-252(DPAK)。可替换型号有STP55PF06、FDP55N06等，这些型号的VDS和ID参数相近，RDS(on)也在类似范围。
WST3407：P沟道MOS管，漏源电压为30V，漏极电流为5.8A，导通电阻为52mΩ@3A,10V，封装为SOT-23-3L。可替换型号包括AO3407A、FQP30P06L等，这些型号的VDS和ID参数相近，RDS(on)也类似。
在替换MOS管时，需确保替换型号的漏源电压（VDS）、漏极电流（ID）和导通电阻（RDS(on)）等参数满足应用需求，同时注意封装类型是否兼容。
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